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後期課程2年生の門田和樹さんがIEEE EDS Kansai Chapter MFSK Awardを受賞しました
後期課程2年生の門田和樹さんが、2021年9月28日に開催された「IEEE EDS Kansai Chapter 関西コロキアム電子デバイスワークショップ 」において、IEEE EDS Kansai Chapter MFSK Awardを受賞しました。
今回の受賞は、昨年度開催された国際会議「IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2020（米国電気電子学会・国際電子デバイス会議2020）」にて、門田さんが発表した”裏面埋込配線構造を用いたセキュリティ向け3次元積層ICチップの構成法”に関する研究成果が、高く評価されました。
受賞年月日：2021年9月28日
受賞者氏名：門田 和樹
受賞研究題目：Secure 3D CMOS Chip Stacks with Backside Buried Metal Power Delivery Networks for Distributed Decoupling Capacitance
所属・学年：先端IT分野・後期課程2年
指導教員名：永田 真 教授
受 賞 名：MFSK Award（学生賞）
論文情報：
Hiroki Sonoda*, Kazuki Monta* et al., "Secure 3D CMOS Chip Stacks with Backside Buried Metal Power Delivery Networks for Distributed Decoupling Capacitance," in Proceedings of the 66th IEEE International Electron Device Meeting (IEDM 2020), #31.5, pp. 1-4, Dec. 2020. [*Equally contributed authors]
